Goetz, Karl-Heinz: Charakterisierung von epitaktisch auf InP abgeschiedenen GaxIn1-xAs-Schichten (0.45 < x < 0.49) mittels Photolumineszenz und Doppelkristall-Röntgendiffraktometrie. Dissertation.

Name: Goetz, Karl-Heinz: Charakterisierung von epitaktisch auf InP abgeschiedenen GaxIn1-xAs-Schichten (0.45 < x < 0.49) mittels Photolumineszenz und Doppelkristall-Röntgendiffraktometrie. Dissertation.
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Aachen 1984, .

103 S. : graph. Darst. ; 21 cm, Bibliotheksexemplar, Aufkleber, Rücken mit Klebestreifen verstärkt, Dreieckstasche.

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Autor: Goetz, Karl-Heinz

Titel: Charakterisierung von epitaktisch auf InP abgeschiedenen GaxIn1-xAs-Schichten (0.45 < x < 0.49) mittels Photolumineszenz und Doppelkristall-Röntgendiffraktometrie. Dissertation

Verlagsort: Aachen 1984

Händler-Kategorie: Physik

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